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SK海力士宣布,将在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会(Flash Memory Summit 2023)上,首次展示了全球首款321层NAND闪存,成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司。此外,SK海力士还会介绍了包括PCIe 及UFS 相关的新一代NAND闪存解决方案。
这次SK海力士带来的是321层1Tb TLC 4D NAND闪存,首次向外界展示了现阶段开发的样品,并会介绍开发的进展情况。SK海力士表示,会进一步完善321层NAND闪存,初步计划在2025年上半年进入量产阶段。据SK海力士介绍,321层1Tb TLC NAND闪存的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高,在相同芯片上实现更大存储容量,进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。
随着近期Chat GPT引发的生成型AI市场的需求增长,存储更多数据的高性能、高容量存储器需求也在急剧增加。SK海力士也在本次活动中,推出了针对这些需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案:采用PCIe 接口的企业级固态硬盘(Enterprise SSD, eSSD)及UFS 。SK海力士希望借助这些能够达到世界级领先性能的产品,充分满足追求高性能客户的需求。
此外,SK海力士还透露,正在积极开发下一代PCIe 和UFS 产品,以致力于在未来继续引领市场。
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